抄録
SnO2は化学的に安定で可視光線に対し高い透過率有し、比較的低い電気抵抗率を持っている。このためSnO2は、Sn4+と異なる原子価を持つSb等の元素をドープすることによりキャリア濃度を高くして電気抵抗率をさらに低下させることができる。このようなSnO2薄膜は現在、太陽電池の透明電極として用いられている。一方、本研究ではSn4+と同じ4価のGe4+・Ti4+・Zr4+・Si4+をドープすることによる電気抵抗率・光透過率への影響を調べた。またこれらの薄膜をアニールすることにより電気抵抗率・光透過率へどのような影響を与えるか調べた。