日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第20回秋季シンポジウム
セッションID: 2P1Q21
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強磁場によるc軸配向Al置換ZnOの熱電特性
*伊東 ちひろ加賀 久杵鞭 義明田中 諭植松 敬三中野 裕美渡利 広司
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抄録
強磁場とゲルキャスティングの組み合わせにより配向度の異なったc軸配向Al置換ZnOセラミックスを作製し、熱電特性を調べた。種々の配向度を有した試料は、磁場強度とスラリー中の粒子の分散状態を調整することによって作製した。最も高い配向度を有する試料では、約83%の粒子がc軸より10度以内の傾斜で配向制御されていた。熱電特性の配向度依存を調べた結果、電気伝導度は配向度の向上と共に増加し、高配向度試料では無配向試料のそれと比較して約2倍の値を示した。一方、ゼーベック係数の配向度依存は顕著ではなかった。結果、結晶方位を高度に揃えることによって高い電気伝導度を有するバルク焼結体が得られることが判明した。
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©  日本セラミックス協会 2007
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