抄録
GaNはウルツ鉱型結晶構造をもつ光半導体であり、青色レーザーへの応用が期待されている。GaNはナノワイヤーの研究も盛んにおこなわれており、Au、Niといった金属触媒を用いた合成法がよく用いられている。また、NiGa2O4を窒化して得られた酸窒化ガリウムはウルツ鉱型と閃亜鉛鉱型が混在した結晶構造をもつことが報告されている。そこで、ゲル化窒化法を用いてNi、またはNiと似た特徴を持つCoを添加した酸窒化ガリウムを合成した。Ni、Coとともに固溶量は1mol%以下でウルツ鉱型と閃亜鉛鉱型と2相混在したガリウム酸窒化物が得られた。さらに、塊状と針状と2種類の結晶が見られた。針状結晶は炭素がある一定以上存在する場合に細くなる傾向が見られた。
