ニオブ酸ストロンチウムバリウムの低磁場配向成形

抄録

二オブ酸ストロンチウムバリウム（SBN）は，正方晶で，優れた電気光学特性を示す．SBNはc軸方向に分極軸をもち特性向上にはc軸配向が有効である．これまで，10Tの強磁場中成形により，c軸が完全配向したSBNセラミックスの作製を報告した．磁場配向プロセス実用化のためには，低磁場化は重要な課題である．そのためには，スラリーの最適化に加えて，焼結時の緻密化と粒成長に伴う高配向化の利用が効果的である．本研究では，c軸配向SBNセラミックスの低磁場作製を目的とした．具体的には，粒度調整と配向粒成長を利用して低磁場高配向化を試みた．