抄録
ゾル-ゲル法によってSi(100)基板の片面にYSZ前駆体ゲル膜を作製し、これを種々の温度で熱処理した。室温で薄膜の面内方向の残留応力を測定し、熱処理温度と残留応力の関係を調べた。ただし、応力は基板の反りを測定することにより求めた。残留応力は200℃までの熱処理では圧縮応力となり、300℃以上では引張応力となり、500℃まで増大するが、500℃以上の温度での熱処理によって一旦減少し、600℃以上の高い温度での熱処理により再度増大した。以上のように残留応力と熱処理温度の関係は単純ではなく、残留応力がそのような複雑な変化を示す理由を、膜の緻密化、結晶化、構造緩和の観点から説明する。
