CSD法による チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の結晶化に及ぼすレーザーアニーリングの効果

抄録

チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）薄膜は、不揮発性メモリー、MEMS用薄膜アクチュエータ、各種センサなど様々なデバイスへの応用が期待されている。本研究では、200nm厚のCSD法LNO薄膜をSi基板上に形成し、その上にCSD法によりPZT前駆体薄膜を作製した。作製したPZT前駆体薄膜を420℃の電気炉を用いて10min間仮焼するか、より小さなレーザーパワーで有機物を除去した。基板を加熱しながら、集光レンズによりデフォーカスし、照射エネルギー密度(LEF)を変更して、KrFエキシマレーザーを照射し結晶化を試みた。レーザーアニーリングにより、200℃という低温で強誘電性を示す、(001)&(100)配向のPZT薄膜の作製に成功した。