抄録
ZnOバリスタは顕著な非線形な電流－電圧(I-V)特性を有する素子で，過電圧抑制保護素子広くとして用いられている。ZnOバリスタのバリスタ電圧は電極間の粒界の数あるいは一粒界当たりのバリスタ電圧で決まると考えられる。また，バリスタに電流あるいは電圧が印加されると非線形なI-V特性が劣化する。この劣化を課電劣化と呼ぶ。この課電劣化の対策としてZnOバリスタには様々な添加物が添加されており，添加物やZnとの間の相互作用によって耐課電劣化特性を向上させている。本研究では毒性のあるSbと同様に一粒界当たりのバリスタ電圧およびZnO粒子に双晶を導入し粒界の数を増加させバリスタ電圧を高くするSnを添加し，その添加量を変化した場合の様々な電気的特性の評価を行う。
