Bi-Mn-Co-Ba-Si添加低バリスタ電圧用ZnOバリスタの粒界偏析物の分布と電気特性の関係

抄録

現在，電子デバイスを用いた制御回路等の動作電圧が低くなっており，低電圧用ZnOバリスタが必要とされている。本研究ではBi系ZnOバリスタの基本添加物にZnO粒成長を促すBaと表面自由エネルギーを小さくするSiを添加してZnO粒径を大きくすることでバリスタ電圧の低下を目指している。今回Siの添加量および熱処理条件を種々変化させてZnO粒界における堆積物の分布と電気特性の関係について研究を行った。Siの添加量の変化で堆積物の形状や量が変化した。さらにアニール処理を行ったところ堆積物の形状がシート状のものが減少し，スポット状のものが増加した。アニール処理により耐課電劣化特性が良好ではなくなったことより堆積物の形状が耐課電劣化特性に寄与すると示唆された。