反応性イオンエッチング(RIE)とマイクロ波プラズマエッチングを組み合わせることにより、一辺の長さ約50nm·高さ数ミクロン程度の面方位に依存した微細構造をもつ単結晶ダイヤモンド柱の加工に成功した。加工手順として、まずAlマスクをパターンニングした高圧合成単結晶ダイヤモンド基板をRIEにより加工し、微細な円柱状構造を作製する。次に、作製した微小円柱ダイヤモンドをH2ガスによるマイクロ波プラズマにさらすことにより、面方位に依存した微細構造をもつ単結晶ダイヤモンドが作製できる。加工後の形状は結晶面方位に依存するため、面方位の異なるダイヤモンド基板を使用することにより異なる形状が作製できる。