モノメチルシラン(SiH₃CH₃)を用いた熱CVDによるシリコンカーバイド膜の作製

抄録

　本研究では、モノメチルシラン(SiH₃CH₃)ガスを原料とした熱CVD法によりSiC薄膜を作製した。赤外吸収分光、X線光電子分光法による薄膜中の結合状態を測定した結果、Si-Cピークが得られた。かつ、赤外吸収分光で、SiC薄膜として不完全なSi-CH_nやCH_n結合のピークは検出されなかった。また、n-Si基板上にSiC膜を作製し、膜厚をエリプソメータによって測定した後、Alを蒸着することによりMetal-Insulator-Semiconductor(Al-SiC-Si)構造を作製した。容量ー電圧特性測定結果より、比誘電率は約9.8であった。この結果より、SiH₃CH₃を用いることで良質のSiC薄膜を作製することができたと考えられる。