レーザ照射によるめっき表面改質

抄録

　近年、コネクターの狭ピッチ化により、実装時のはんだ吸い上がりが問題となっている。そのため、コネクター上にNi露出部分を形成し、はんだの吸い上がりを防止することが検討されている。
　本研究では、Ni/Auめっき上にレーザを照射することでNiAu混合層を形成し、はんだに濡れない層を形成した。さらに、照射部の表面状態の分析及びはんだ濡れ性との関係を調べたので報告する。