薄膜金属ガラスを用いた集積化マイクロプローブ（第2報） 薄膜金属ガラスの低電気抵抗化

桜井 淳平; 秦 誠一; 下河辺 明

doi:10.11522/pscjspe.2003A.0.481.0

2003年度精密工学会秋季大会

セッションID: I22

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2003A.0.481.0

会議情報

主催: 社団法人精密工学会

MEMS商業化技術（2）

薄膜金属ガラスを用いた集積化マイクロプローブ（第2報）

薄膜金属ガラスの低電気抵抗化

*桜井淳平, 秦誠一, 下河辺明

著者情報

キーワード: プローブ, MEMS, 薄膜金属ガラス, 電気抵抗率, 結晶化

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抄録

近年LSIの高集積，多ピン化に対応する検査用マイクロプローブカードの開発が望まれている．著者らはこれまでにPdCuSi薄膜金属ガラスを用いたマイクロプローブの製作を行ってきた．PdCuSi薄膜金属ガラスは従来のプローブ材料に比べて電気抵抗率が高いため，マイクロプローブの接触抵抗が大きいという問題点があった．そこで，PdCuSi薄膜金属ガラスに熱処理を施し結晶化させ，電気抵抗率の低減化を試みた．

責任著者(Corresponding author)

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