GaAs半導体材料の鏡面研削機構の研究(第2報） 結晶方位が欠陥生成に与える影響

小池 隆宏; 森田 昇; 樋山 雅樹; 西口 隆

doi:10.11522/pscjspe.2003S.0.300.0

2003年度精密工学会春季大会

セッションID: F50

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2003S.0.300.0

会議情報

主催: 社団法人精密工学会

超精密研削

GaAs半導体材料の鏡面研削機構の研究(第2報）

結晶方位が欠陥生成に与える影響

*小池隆宏, 森田昇, 樋山雅樹, 西口隆

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キーワード: ガリウム砒素, 研削, クラック, 結晶方位

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抄録

　研削機構によるGaAs半導体材料の超平滑化加工を達成することを目的として，研削時の欠陥生成層の微視的解明を行っている。本報ではGaAsの研削における表面および内部の欠陥生成機構の解明を目的として，スクラッチ試験機による単粒研削加工実験を行った。これにより，加工痕内部に生じるクラックの深さと結晶方位との相関を明らかにした。

責任著者(Corresponding author)

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