集束イオンビーム照射とアルカリエッチングを併用した極微細加工（第2報） マスキング効果のメカニズム

柴田 浩一; 川堰 宣隆; 森田 昇; 芦田 極; 谷口 淳; 宮本 岩男

doi:10.11522/pscjspe.2003S.0.66.0

2003年度精密工学会春季大会

セッションID: B13

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2003S.0.66.0

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主催: 社団法人精密工学会

マイクロ加工とトライボロジー（2）

集束イオンビーム照射とアルカリエッチングを併用した極微細加工（第2報）

マスキング効果のメカニズム

*柴田浩一, 川堰宣隆, 森田昇, 芦田極, 谷口淳, 宮本岩男

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キーワード: 集束イオンビーム, アルカリエッチング, マスキング効果, ドーズ量

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抄録

　単結晶シリコン表面に集束イオンビームを照射すると，照射部はアルカリエッチングに対してマスキング効果を発現する．本研究は、この現象を利用して単結晶シリコン表面に高さ方向を制御した三次元微細構造を形成することを目的としている．本報では，マスキング効果の要因を明らかにするため照射部の結晶性及び元素分析を行った．また，いくつかの三次元微細構造を形成したので報告する．

責任著者(Corresponding author)

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