抄録
本研究は,イオンビーム照射と化学エッチングを併用した3次元微細構造形成法について検討している.イオンビーム照射を行った単結晶シリコン(100)をフッ酸でエッチング処理すると,照射部が選択的にエッチングされ凹状の微細構造を形成することができる.本報では,多価重イオンビーム発生装置を用いてイオン照射を行い,微細構造の深さの制御について検討した.その結果,高エネルギ条件でイオン照射を行うことで数百nm単位の凹状の微細構造を形成できることがわかった.さらにイオン照射の加速電圧,価数およびドーズ量により微細構造の深さを制御できることがわかった.
