STMによる湿式洗浄後のSi(110)水素終端化表面の原子構造解析

加藤 潤; 堀江 伸哉; 小野 倫也; 有馬 健太; 遠藤 勝義

doi:10.11522/pscjspe.2005S.0.45.0

2005年度精密工学会春季大会

セッションID: A68

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2005S.0.45.0

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主催: 社団法人精密工学会

表面ナノ構造・ナノ計測(2)

STMによる湿式洗浄後のSi(110)水素終端化表面の原子構造解析

*加藤潤, 堀江伸哉, 小野倫也, 有馬健太, 遠藤勝義

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キーワード: Si(110), 走査型トンネル顕微鏡, 第一原理シミュレーション, 湿式洗浄, 酸化

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抄録

近年、Si(110)はラジカル酸化を用いることによりSi(001)より優れたホールのモビリティ特性を持つことがわかっている。そこで、Si(110)湿式洗浄表面の原子分解能を持つSTM像を得ることができた。そこで、第一原理を用いたシミュレーションを用いて表面構造のSTM像を作成し実験で得られたSTM像と比較してSi(110)表面の構造を決定した。

責任著者(Corresponding author)

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