半導体デバイスと平坦化CMPの最新動向（キーノートスピーチ）

抄録

本発表では、ULSIデバイスの微細化の推進と信号伝播遅延と消費電力の最小化を目的としたCu配線及び低誘電率絶縁膜に対応するCMP技術の考え方を示す。次に絶縁膜CMP工程に於ける高平坦化CMP技術の実用例として、サブパッドを用いない発泡ポリウレタンパッドによる研磨を紹介する。更に、メタルＣＭＰ工程に於ける低摩擦研磨で今後必要となる研磨摩擦計測を用いたインラインモニタによるプロセス監視の可能性を検討した。