ＣＭＰを適用したカーボンナノチューブ配線ビア（キーノートスピーチ）

抄録

高電流密度耐性やバリスティック伝導性など優れた特性を有するカーボンナノチューブ（CNT）の配線ビア応用に関して、今回、CNT低温成長技術、及び化学機械研磨（CMP）による平坦化技術を検討した。その結果、LSIプロセスに整合する低温（400℃）でのCNT成長を実現し、また、電気伝導性向上に向けたCMP平坦化技術の有効性を示した。これらの結果は、LSIにおけるCNT配線ビアの可能性を示すものとして重要である。