シリカスラリーによるSiC単結晶の研磨機構

抄録

シリカスラリーを用いたSiC単結晶の研磨機構を解明することを目的とし、シリカ砥粒とSiC単結晶において、研磨前後の変化を観察した。また我々はすでに、酸化剤や光触媒を添加したスラリーにおいて研磨レートが向上するケースがあることを見出しているが、この原因を研磨機構から追究する。