選択的促進剤除去によるボトムアップ銅めっき深溝埋込み

長尾 真行; 東家 友也; 早瀬 仁則

doi:10.11522/pscjspe.2007S.0.235.0

抄録

さらなるICの高集積化へ向けて,3次元実装が注目されている.この3次元実装には,シリコンウエハを貫通した電極が不可欠である.現在,深さ100μm程度の溝あるいは穴を湿式めっきを用いて,銅で埋込むことが検討されている.本研究では,塩化物イオンリッチ浴を用いて,めっき面に吸着した促進剤を選択的に除去することにより,溝内部からの優先的めっき進行を実現し,深溝埋込みに成功した.

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