Siウエハのナノ引っかきに関する研究

ダイヤモンドプローブによるナノパターン創成の検討

抄録

本研究は，ナノ引っかきによりシリコンウエハ表面上へのナノメートルオーダの細線パターン創成の可能性について調査することを目的とする．本報では，原子間力顕微鏡を用いて200nm程度の先端半径をもつダイヤモンドプローブによりナノ引っかき実験を行なった結果を報告する．実験後には転写性について評価した．その結果，深さnmオーダで幅200nm程度の溝パターンが創成できることがわかった．また，より微細な溝パターンの創成には，ダイヤモンドプローブ先端の微細化が重要となることを確認した．