GaAs半導体のナノメータスケール機械加工

大井 慶太郎; 森田 昇; 川堰 宣隆; 山田 茂; 高野 登; 大山 達雄

doi:10.11522/pscjspe.2007S.0.285.0

2007年度精密工学会春季大会

セッションID: C79

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2007S.0.285.0

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主催: 社団法人精密工学会

GaAs半導体のナノメータスケール機械加工

*大井慶太郎, 森田昇, 川堰宣隆, 山田茂, 高野登, 大山達雄

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キーワード: ガリウム砒素, 原子間力顕微鏡, カンチレバー, ダイヤモンドアレイ, 結晶方位

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抄録

本研究では,ガリウム砒素(GaAs)半導体のナノメータスケール機械加工特性について検討している.GaAs(100)に対して原子間力顕微鏡(AFM)機構と高剛性の加工用カンチレバーを用いたナノメータスケールのスクラッチ試験を行った.その結果,スクラッチ方向hによってダメージ生成メカニズムが変化することがわかった.そこでGaAsの結晶方位とダメージ生成メカニズムの関係について詳細に検討した.

責任著者(Corresponding author)

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