触媒作用を援用したSiCの超精密研磨に関する研究 単結晶SiC表面研磨の試み

久保田 章亀; 八木 圭太; 村田 順二; 原 英之; 宮本 士郎; 三村 秀和; 佐野 泰久; 山内 和人

doi:10.11522/pscjspe.2007S.0.81.0

2007年度精密工学会春季大会

セッションID: A69

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2007S.0.81.0

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主催: 社団法人精密工学会

触媒作用を援用したSiCの超精密研磨に関する研究

単結晶SiC表面研磨の試み

*久保田章亀, 八木圭太, 村田順二, 原英之, 宮本士郎, 三村秀和, 佐野泰久, 山内和人

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抄録

次世代パワー半導体素子用材料として,ワイドバンドギャップ半導体であるシリコンカーバイド(SiC)が注目されており,Siの性能を超えるSiC素子の研究開発のためには,SiC基板加工技術の高度化・高精度化が必要とされている.現在,われわれはCMPに代わる新しい平坦化加工法(CAtalyst-Referred Etching:CARE)を提案し,研究を行っている.本報告では,鉄触媒を使った単結晶SiC表面の研磨可能性について報告する.

責任著者(Corresponding author)

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