数値制御大気圧プラズマ犠牲酸化法の開発 多電極型プラズマ発生装置の試作と評価

吉永 圭之介; 上坂 翔平; 佐野 泰久; 三村 秀和; 松山 智至; 山内 和人

doi:10.11522/pscjspe.2010S.0.309.0

2010年度精密工学会春季大会

セッションID: D46

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2010S.0.309.0

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主催: 社団法人精密工学会

数値制御大気圧プラズマ犠牲酸化法の開発

多電極型プラズマ発生装置の試作と評価

*吉永圭之介, 上坂翔平, 佐野泰久, 三村秀和, 松山智至, 山内和人

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キーワード: Silicon On Insulator, 大気圧プラズマ, 犠牲酸化, 均一化, 多電極

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抄録

高速で低消費電力なデバイス用の基板としてSOI (Silicon On Insulator)ウェハが注目を集めている. 将来SOIに要求されるシリコン層の膜厚均一性は±0.6 nm程度になり, このような均一性を実現するのは極めて困難である. 我々はこの目標を達成すべく数値制御大気圧プラズマ犠牲酸化法を開発し, これまでにΦ300 mm SOIウェハ全面でP-V0.9 nmを達成している. 今回, 量産化の為の多電極プラズマ発生装置を試作した結果について述べる.

責任著者(Corresponding author)

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