透過性パルスレーザによるシリコン内部の亀裂伸展解析

ステルスダイシングの加工メカニズムに関する研究

抄録

ステルスダイシングでは透過性ナノ秒レーザをシリコン内部に集光照射し、水平方向に走査する。パルス毎に材料内部を熱衝撃波が伝播して高転位密度層が生成される。破壊力学に基づく二次元熱弾性解析によるこれまでの研究で、高転位密度層内の亀裂が次のパルスの熱衝撃波によって進展することが明らかになった。ここでは、その後の複数パルスがさらなる亀裂進展に関わるとの仮説の下、亀裂進展解析を行ってその妥当性を検討した。