RFスパッタリング法によるc-BN薄膜成長におよぼす基板バイアス電圧の効果

抄録

我々は、h-BNターゲットをRFスパッタしてc-BN相を含む薄膜の形成を試みている。今回は、基板バイアス電圧を主たるパラメータとし、基板温度、スパッタガス圧の影響についても併せて調査した。その結果、80V以上のバイアス電圧を印加することで、c-BN相を含む薄膜が得られることがわかった。また、その含有割合は、基板温度が高いほど、またスパッタガス圧が低いほど多くなる傾向が認められた。