レンズ開発用ダイヤモンド工具の表面改質とそのトライボロジー特性の評価

抄録

本研究では，レンズ開発用高温高圧合成？Tb型単結晶ダイヤモンドバイトサンプルの（100）面に対して150KeV，5×1016ions/cm2 条件下で2価の窒素イオン照射を行い，表面改質が施された単結晶ダイヤモンドの最表層のトライボロジー特性を検討した．具体的には，極最表層の摩耗試験を行った結果，SUS420J2ピンによる摩耗深さは約84～86nmを示し．摩擦係数平均値は0.11を示した．また，イオン照射面の電気抵抗は280～330Ωを示し電気伝導性が変化することが明らかとなった．