赤外フェムト秒パルスレーザーによる単結晶Si基板の非線形加工

抄録

赤外光を透過する性質を持つ単結晶Si基板に対し、赤外フェムト秒レーザーを、基板を透過させ裏面に集光し、裏面のみの選択的加工を試みた。基板裏面の加工領域に変質が認められたものの、アブレーションによる除去加工は実現できていない。これはレーザーがSiを透過する際の高調波発生等の非線形効果や、Siの高屈折率による収差で裏面での集光が不十分なためだと考えられる。Si内部でのレーザー光の振舞いを加工部の断面観察から推定した。