原子接点数と格子不整合率が薄膜の結晶面方位に及ぼす影響

抄録

腕時計型自動血糖値測定デバイスの開発を行っており，同装置のアクチュエータ材料としてTiNi形状記憶合金に注目し，その発生力の向上が目的である．ここで薄膜面内の残留ひずみは，発生力に影響を与える因子として大きく起因することから，優先配向面を左右する基板とバッファ層及び薄膜の原子接点数と格子不整合率に注目した．本報では面方位が原子接点数と格子不整合率により影響を受けることを解析と実験の双方により確認した．