大口径SiCウェハのUVアシスト高能率加工技術の開発

抄録

SiCは，優れた機械特性，電気特性を有することから，次世代パワーデバイスへの応用が期待されているが，高硬度であるため加工が非常に困難である．そこで，我々の研究室では紫外光照射による光化学反応を応用したUVアシスト加工を開発した．本報では，UV加工が2インチSiCウェハの高能率・高精度加工法として実用可能か検証した．実験の結果，2インチSiCウェハの全面加工に成功し、表面粗さ0.175nmRaの平滑な加工面を得ることができた．