Siウエハの加工変質層の評価

岩元 真一; 黒河 周平; 土肥 俊郎; 畝田 道雄; 大西 修; 鈴木 敏之; 河瀬 康弘; 原田 憲

doi:10.11522/pscjspe.2012A.0.67.0

2012年度精密工学会秋季大会

セッションID: A62

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2012A.0.67.0

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主催: 公益社団法人精密工学会

Siウエハの加工変質層の評価

*岩元真一, 黒河周平, 土肥俊郎, 畝田道雄, 大西修, 鈴木敏之, 河瀬康弘, 原田憲

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キーワード: Si, TSV (Through Silicon Via), CMP (Chemical Mechanical Polishing), 加工変質層, BG (Back Grind)

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抄録

3次元実装を目指すTSVでは，BGを行った際にSiウエハに発生する加工変質層をCMPで取り除かなければならない．そこで，BGプロセスにおける加工変質層の深さがどの程度，存在するのか調査した．その結果，BGで用いる砥粒の粒径やBG後の表面粗さRaに応じた加工変質層の深さを知ることができ，BG後のCMPでの除去すべき厚さが分かった．

責任著者(Corresponding author)

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