プラズマ援用研磨法の開発（第5報）

断面TEMによる単結晶SiCの加工面の観察

抄録

単結晶SiCを高精度的に研磨するため、我々はプラズマ援用研磨（PAP）技術を開発している。今までの結果から見ると、PAPを用いることで、スクラッチフリーかつ原子レベルで平坦な表面が得られた。今回、断面TEMによる単結晶SiCの観察を行った。１時間の水蒸気プラズマ照射により、単結晶SiCの表面に厚さが約20 nmの酸化膜が形成されることが分かった。PAPの加工面は、酸化膜が完全に除去され、原子配列の乱れがないことが分かった。