エピタキシャルSi太陽電池形成のための大気圧プラズマCVD技術の開発

抄録

エピタキシャル（エピ）Si太陽電池製造のための基礎技術開発として低温度領域において大気圧プラズマCVD法によるSiエピ成長技術、大気圧プラズマ酸化による効果的な表面パッシベーション膜形成を目的として研究を行った。実験結果は低温でのエピ成長の可能性を示し、800℃での熱酸化以上の高い酸化速度を達成した。これにより大気圧プラズマを用いることで低温でのエピタキシャルSi太陽電池形成プロセスの開発に可能性を見出した。