主催: 公益社団法人精密工学会
埼玉大 工学部 機械工学科
新日鉄住金マテリアルズ SiCウェハカンパニー
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現在，シリコン（Si）に替わる次世代パワー半導体基板として，耐熱性，耐電圧性に優れるシリコンカーバイド（SiC）に期待が寄せられている．しかし，SiCはダイヤモンドに次ぐ硬度と化学的安定性から難加工性材料として知られている．本研究では材料の硬さに関わらず加工が可能であるレーザに着目し，難加工性材料であるSiCに対して，レーザアブレーションによる高品位高速加工を試みたので報告する．
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