酸素還元触媒によるGe表面の純水エッチング

触媒材料の検討

抄録

Siに替わる半導体材料として注目されているGeは表面ラフネス値が高く実用化のためにはGe表面の原子レベルでの平坦化が必要である。既に、貴金属触媒を用いた純水エッチングによりGe表面の平坦化が可能であると報告した。しかし同時に、Ge表面に残留した金属脱離片の除去は困難であるとの問題点を見出した。そこで我々は、金属フリーな酸素還元触媒として窒素ドープグラフェンに着目し、その作製及び評価を試みた。