シリコン基板上の金薄膜の赤外フェムト秒レーザーによるレーザー誘起前方転写

抄録

シリコン（Si）は、赤外波長域においては透明となるので、Si基板を用いたレーザー誘起前方転写（LIFT）が可能であると予想される。本研究では、Si基板裏面の金薄膜にたいして赤外フェムト秒レーザーによるLIFTを試みた。Siは屈折率が非常に大きいため、LIFTを実現するためには、収差の補正が重要であることが分かった。収差を補正し裏面に集光した場合、Si基板裏面の金薄膜を除去でき、LIFTが可能であることを示した。