紫外光を援用した触媒表面基準エッチング法による窒化ガリウム・炭化ケイ素基板の高能率平坦化加工

山口 航; 礒橋 藍; 杉浦 崇仁; 稻田 辰昭; 松山 智至; 佐野 泰久; 山内 和人

doi:10.11522/pscjspe.2014A.0_23

2014年度精密工学会秋季大会

セッションID: A22

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2014A.0_23

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主催: 公益社団法人精密工学会

紫外光を援用した触媒表面基準エッチング法による窒化ガリウム・炭化ケイ素基板の高能率平坦化加工

*山口航, 礒橋藍, 杉浦崇仁, 稻田辰昭, 松山智至, 佐野泰久, 山内和人

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キーワード: 窒化ガリウム, 炭化ケイ素, 平坦化加工, 触媒, 酸化, 光電気化学

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抄録

我々は窒化ガリウム (GaN) ，炭化ケイ素 (SiC) 基板表面を原子スケールに平坦な面に化学的に加工する新たな加工法を開発した。研磨盤に白金触媒を使用した本手法を触媒表面基準エッチング (CAtalyst-Referred Etching: CARE) 法と呼ぶ。本加工法では、一原子層高さのステップ・テラス構造をもつ平坦表面の作製を実現している。加工速度の向上を目的とし、紫外光照射による光電気化学反応の援用効果について調査した結果について報告する．

責任著者(Corresponding author)

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