Si-CMPにおける研磨装置の挙動解析と研磨特性との関係 機械的作用と化学的作用のインターラクション考察

畝田 道雄; 高橋 佳宏; 澁谷 和孝; 中村 由夫; 市川 大造; 石川 憲一

doi:10.11522/pscjspe.2014A.0_31

2014年度精密工学会秋季大会

セッションID: A34

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2014A.0_31

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主催: 公益社団法人精密工学会

Si-CMPにおける研磨装置の挙動解析と研磨特性との関係

機械的作用と化学的作用のインターラクション考察

畝田道雄, *高橋佳宏, 澁谷和孝, 中村由夫, 市川大造, 石川憲一

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キーワード: ポリシング, 研磨レート, スラリー砥粒濃度, 摩擦係数, 研磨パッド表面温度

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抄録

シリコン（Si）のCMPに及ぼす影響因子として研磨装置の挙動や消耗副資材の特性に着目し，それらのパラメータが研磨特性に与える影響について明らかにすることを目的とする．本報ではSi-CMPの研磨機構に及ぼす研磨装置挙動や消耗副資材特性の解明を目的に，機械的作用と化学的作用の影響度を評価するため，通常のコロイダルシリカスラリーに加えて，砥粒レススラリーによる検討を行うことを通じて多面的に考察した結果を示す．

責任著者(Corresponding author)

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