サファイア電界CMP用複合砥粒の開発と研磨特性

抄録

LED用基板として用いられるサファイアは、原子レベルの平坦性と研磨速度向上が求められている。本研究では、秋田県産業技術センターが開発した研磨中に外部電界を印加し研磨効率を向上する技術（電界CMP）に適した砥粒開発を目的とした。電界に対する応答性とサファイア研磨特性を両立する目的で、SrTiO₃とSiO₂を複合化した砥粒を開発し、その研磨特性について調べた。その結果、同一の電界印加条件下において、開発砥粒を用いたスラリーは市販コロイダルシリカスラリーよりも大きな電界印加効果を示した。