OHラジカルを活性種として用いたGaN化学機械研磨プロセスの量子分子動力学シミュレーション

抄録

GaN基板に対する高効率・高精度な研磨プロセス設計を目的に、活性種としてOHラジカルを用いたGaN基板研磨プロセスについて、量子分子動力学法に基づくシミュレーションによる解析を行った。溶液中のOHラジカルがGaN基板と反応することで生成する吸着O原子が、摩擦面において、基板内に押し込まれる酸化反応を明らかにした。この酸化反応に伴い、基板のGa-N結合が解離し、基板原子がN₂分子、Ga(OH)₃分子として脱離するプロセスを解明した。