シリコン研磨における低Defectスラリーの開発

抄録

近年、より高精度化するCMPプロセスの中で、シリコンウェーハ研磨後のDefectの低減は非常に重要である。特に、Defectの中でもスラリー、パッド、研磨環境から発生するPID（Polishing Induced Defect）を低減することが求められている。そこで本研究では、スラリーの観点からPIDを低減するべく、高分子量ポリマーと低分子量ポリマーを用いて、ポリマーの分子量がPIDに及ぼす影響について調査・研究に取り組んだ。