銅と銀薄膜のギ酸ガスによる表面活性化接合

抄録

本研究は、配線やヒートシンクに用いる銅とSiチップ上に形成した銀薄膜を、パワーデバイスの放熱効率を上昇させるため、またダイボンディングの省スペース化のために中間層を伴わず直接接合することを目的とした。そこでギ酸ガスを用いた表面活性化接合法によって銅バルク材と銀薄膜を接合することを試みた。その結果、大気圧中でのギ酸ガスによる表面処理（30min）を施した後、1000Nで10min圧着させたところ、従来250℃以上の加熱が必要とされていた銅と銀の接合を200℃で実現することが出来た。