CMP過程におけるガラス/水/研磨材界面の電荷移動

抄録

酸化セリウム系研磨材では，研磨過程において生じるCe4+/Ce3+の酸化還元反応が，ガラス表面を軟化させることが知られている。しかし，スラリーを介してどのように電子が移動しているのかなどが分かっていない。そこで，研磨過程における研磨材とガラスとの界面について，界面抵抗を評価することによって検討した。その結果，研磨の過程で界面抵抗が変化し，イオンを通じて電荷移動が進んでいることが示唆された。