低照度ダブルパルスビームを用いたワイドバンドギャップ半導体のナノ表面励起加工に関する研究

抄録

筆者らは，フェムト秒レーザーによる光表面励起効果を利用し，ワイドバンドギャップ半導体表面を低照度ビームで加工する，低照度ダブルパルスビームによる表面励起加工技術を提案している．本研究では，ワイドバンドギャップ半導体の損傷閾値以下の照度のレーザーで，半導体表面のナノ加工を行った結果について報告する．