表面吸着活性種の輸送を用いたドライ平坦化法の開発

炭化ケイ素基板の加工

抄録

SiCやGaN、ダイヤモンドといった次世代半導体基板の実用化のために、これらの材料の高能率平坦化加工が求められている。高能率加工法として大気圧プラズマを用いたプラズマCVMが知られているが、この加工法では平坦化の作用はない。そこで我々は、Fラジカルを基準面となる平板に吸着させ試料表面まで輸送することで試料を平坦化する新しい加工法を開発している。本発表では、SiC基板の加工結果について報告する。