Arイオンビーム照射による炭化ケイ素結晶の隆起高さの制御

抄録

Arビームを90keVと700keVの二種類のエネルギーで、照射量1×10の15乗から200×10の17乗[ion/cm2]の範囲でSiC結晶に照射し、照射部の隆起高さを測定した。また、実験条件の最適化を計るため、TRIMを使って照射効果や飛程分布の計算を行った。実験の結果、SiC結晶表面上に隆起構造が加工できた。隆起高さは1nmから100nmの間で5nmの程度の精度で制御できることが分かった。