半導体構造の形状評価の研究（第3報） 斜め切りCD-SEM画像によるFinFET形状の測定

岩城 祐輝; 高橋 哲; 高増 潔

doi:10.11522/pscjspe.2016A.0_407

2016年度精密工学会秋季大会

セッションID: H06

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2016A.0_407

会議情報

主催: 公益社団法人精密工学会

会議名: 2016年度精密工学会秋季大会

開催地: 茨城大学

開催日: 2016/09/06 - 2016/09/08

半導体構造の形状評価の研究（第3報）

斜め切りCD-SEM画像によるFinFET形状の測定

*岩城祐輝, 高橋哲, 高増潔

著者情報

キーワード: 半導体, SEM, TEM

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抄録

半導体構造は年々微細化および複雑化している．しかし、これらの半導体構造に対応した計測方法の標準は現在確立されていない．そこで我々は，新しい半導体構造として注目されているFinFET構造を対象として形状評価の標準を確立することを目指す．本報告では，斜め切りCD-SEM画像による計測をTEM画像による計測と比較し，その有効性を示す．

責任著者(Corresponding author)

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