大気圧プラズマプロセスをベースとした単結晶ダイヤモンド基板の高能率ダメージフリー平坦化・平滑化（第8報）

エッチングレートの基板温度依存性の調査

抄録

我々は次世代半導体材料として有望な単結晶ダイヤモンド基板の平坦化手法としてマイクロ波プラズマジェットを用いた数値制御PCVM法の適用を検討している．本報では，エッチングレートと基板温度との相関を調べた．そして，エッチング反応が，化学反応が主体であることを明らかにした．また，反応温度をダイヤモンド構造が維持される最大温度まで上昇させたときの最大エッチングレートを見積もった．