革新的CMP/P-CVM融合加工装置の設計・試作（第11報）

B-Type装置によるGaN基板加工特性とその加工メカニズム

抄録

難加工材料の高品質・高能率加工を目指し、開発したCMPプロセスと大気圧プラズマ加工法(PCVM)を融合した”革新的Plasma fusion CMP”装置を用いて、GaN基板の加工プロセスを検討した。反応ガス種に着目し、ここでは、酸素を用いる事で、安全でかつ高品質・高能率加工が可能である事を見出した。GaN基板表面の酸化膜形成が加工特性に影響を及ぼすことから、GaN基板の加工メカニズムを明らかにした。