SiCの臨界切込み深さに及ぼす結晶方位及びUV照射の影響

小辻 利幸; 太田 稔; 江頭 快; 山口 桂司

doi:10.11522/pscjspe.2016S.0_925

2016年度精密工学会春季大会

セッションID: Q43

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2016S.0_925

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主催: 公益社団法人精密工学会

SiCの臨界切込み深さに及ぼす結晶方位及びUV照射の影響

*小辻利幸, 太田稔, 江頭快, 山口桂司

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キーワード: SiC, 臨界切込み深さ, 紫外光照射, 加工変質層, スクラッチ試験

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抄録

ワイドギャップ半導体であるSiCが次世代パワー半導体材料として期待されている. しかし、SiCは優れた特性を有するがゆえに加工が困難である．そこで筆者らはSiCの新しい研削方法として，紫外光の光化学反応を重畳したUVアシスト研削を考案した．本研究では，UVアシスト研削における加工特性を知るため，単粒研削を模した単結晶SiCのスクラッチ試験を行い，臨界切込み深さに及ぼす結晶方位とUV照射の影響を明らかにした.

責任著者(Corresponding author)

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